关于数字电桥内阻的解释

  高低档电桥及不同系统电桥由于设计的出发点及应用范围不同，具有不同的内阻。对低导磁率抗饱和的电感，内阻对被测件影响不大，测试电平变化时，电感量及Q值恒定。对于高导材料，例如镍锌材质的磁环或其他用于滤波器的工件，导磁率受到外影响很大，LCR或LCZ电桥的源电流对这些被测件μ值影响较大。对于106X系列电桥，它的源内阻较小，设计出发点是为了检验被测件在一定驱动电流(即磁场强度)情况下，材质的变化程度，变化以电感值及Q值来体现，从而检验出材料的铁损等缺陷。所以仅以测试电平为条件，要求低档电桥数据要和其他电桥在测量高μ材质线圈时，测出的电感值或Q值一致，是很困难的，也是不科学的。

   图(1)：测试条件能使测试数据有很好的对比性。

电桥CPU以正弦波为基本计算模式， 所以我公司建议您从以下几个方面考虑电感值和Q值在电平变大时有较大的变化：

1．要特别注意您的上游厂的测试条件及测试仪器的系统，即同种类型和同种条件的要求。实际生产中不可能作复杂的波形分析。
2．上游厂或整机厂由于整机要求有时要将电感器件设计为抗饱和，有时要利用它的饱和特性，所以材料牌号很重要，材料牌号混料，凑成电感值一致是没有意义的，是最大的误区。

3．仪器本来就是从不同层次揭露产品缺陷的工具，不要根据低档仪器忽略的问题来和高档仪器比，将抗饱和器件和高μ材料材质的器件混为一谈。